有研究稱，在45nm以下的工藝制程中，銅互連工藝不如碳納米管材料的性能。

　　近日，美國紐約州Rensselaer工學院科學家的最新試驗顯示，碳納米管材料的性能已經超越目前應用最為廣泛的銅互連工藝，尤其是在45nm以下的工藝中更能得到體現。

　　他們采用計算機模擬方式進行試驗，100TFlops的IBM超級計算機被選中來承擔本次試驗，這次試驗也是業(yè)內首個針對量子效應的芯片模擬實驗。通過試驗結果可以看到，由于漏電問題造成的功耗過大問題，使銅互連工藝在45nm以及更小的尺寸下，無法達到理想的效果，但如果采用碳納米管進行互聯(lián)，則可以有效解決功耗過高的問題，從而達到一個理想的效果。

　　Saroj Nayak教授也表示他們堅信在45nm以及更小的制程中，碳納米管是最好的選擇，未來也將兩種構造的性能進行測試，得出更加精確的比較。同時也有專家指出，之所以碳納米管在45nm及更小工藝中表現出色，是由于阻抗較低，從而導致其功耗也較低。

　　但隨后又有專家指出，由于沒有得到精確的測試數據，因此業(yè)內還無法真正應用該技術。因此希望本次試驗也可以有效的帶動這項技術的發(fā)展。但由于沒有很好的辦法解決該技術的量產問題，因此僅可應用在試驗室中，這也是令人比較遺憾的一點。