申請號/專利號： 200580000371 本發明提供一種成膜方法，利用反復進行下述工序的ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法，在基板上形成Ｃｕ膜：將蒸汽壓高，對襯底濕潤性好的Ｃｕ羧酸絡合物或其衍生物氣化，作為原料氣體使用，且使用Ｈ↓［２］作為還原氣體，使原料氣體吸附在基板上的工序；和利用還原氣體還原吸附的原料氣體，形成Ｃｕ膜的工序。由此可形成保形（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）良好膜質的Ｃｕ薄膜。
| 申請日： | 2005年02月25日 |
| 公開日： | 2006年08月30日 |
| 授權公告日： | |
| 申請人/專利權人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 申請人地址： | 日本東京 |
| 發明設計人： | 小島康彥;吉井直樹 |
| 專利代理機構： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 |
| 代理人： | 龍淳 |
| 專利類型： | 發明專利 |
| 分類號： | C23C16/18;H01L21/285 |
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