申請?zhí)?專利號： 01818940 一種銅拋光漿料可以通過將下列物質(zhì)組合在一起而形成：螯合有機(jī)酸緩沖體系，如檸檬酸和檸檬酸鉀；研磨劑，如膠體二氧化硅。這種銅拋光漿料在集成電路的制造中很有用，具體地說，在銅和銅擴(kuò)散阻斷層的化學(xué)機(jī)械拋光中很有用。另一種銅拋光漿料可通過進(jìn)一步與氧化劑如過氧化氫，和／或腐蝕抑制劑如苯并三唑相組合而形成。按照本發(fā)明的漿料的優(yōu)良性質(zhì)包括：Ｃｕ的移除速率提高到＞３０００埃每分鐘。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在獲得這一較高的拋光速率的同時維持了局部ｐＨ的穩(wěn)定性，并顯著減少了整體和局部腐蝕。局部ｐＨ的穩(wěn)定能夠減少晶片內(nèi)部的不均一性并減少腐蝕缺陷。而且，銅擴(kuò)散阻斷層，如鉭或氮化鉭，也可利用不包括氧化劑在內(nèi)的此類漿料進(jìn)行拋光。
| 申請日： | 2001年10月29日 |
| 公開日： | 2004年05月05日 |
| 授權(quán)公告日： | 2006年05月17日 |
| 申請人/專利權(quán)人： | 英特爾公司 |
| 申請人地址： | 美國加利福尼亞州 |
| 發(fā)明設(shè)計人： | 肯尼思·C·卡迪恩;安妮·E·米勒;艾倫·D·費(fèi)勒 |
| 專利代理機(jī)構(gòu)： | 北京東方億思專利代理有限責(zé)任公司 |
| 代理人： | 杜娟 |
| 專利類型： | 發(fā)明專利 |
| 分類號： | H01L21/768;H01L21/321 |
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