申請號/專利號： 99805102 本發明提供一種腐蝕銅層的方法，該方法能夠去除希望的導電互連結構的不需要的膜部分，同時避免結構的過腐蝕和在被腐蝕銅層表面上形成侵蝕表面沾污。深腐蝕所淀積的銅層到含有填充有銅的溝槽和通道的上或“場”表面。可以利用低溫區，主要利用銅表面的物理轟擊，在襯底表面上進行銅層深腐蝕。或者，在約１５０℃的高溫區，利用三種不同的腐蝕劑，進行深腐蝕。腐蝕等離于體可以僅由非反應氣體形成，僅由產生氯或氟等反應物質的氣體形成，或可由用于調節選擇性和腐蝕速率的非反應氣體的組合形成。