申請號/專利號： 200580011949 本發明提供一種黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，具備黃銅礦類化合物（Ｃｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ↓［２］）的構成成分在內部均勻分布的膜構造。本發明的光吸收層的制造方法包括：（１）在Ｍｏ電極層上利用濺射法層疊與該電極層鄰接的Ｉｎ金屬層和Ｃｕ－Ｇａ合金層的前體形成工序；（２）在將形成有前體的基板（１）收納于氣密空間的狀態下，向室溫～２５０℃的溫度范圍的該空間內導入硒化氫氣體的第一硒化工序；（３）向升溫到２５０℃～４５０℃的溫度范圍的氣密空間內追加導入硒化氫氣體的第二硒化工序；（４）在殘留到第二硒化工序為止導入的硒化氫氣體的狀態下，將氣密空間內升溫到４５０℃～６５０℃的溫度范圍，在該溫度范圍條件下進行上述基板的熱處理的第三硒化工序；（５）將熱處理后的基板冷卻的冷卻工序。

申請日：	2005年04月08日
公開日：	2007年04月04日
授權公告日：	2009年01月28日
申請人/專利權人：	本田技研工業株式會社
申請人地址：	日本東京都
發明設計人：	久米智之;小丸貴史
專利代理機構：	中科專利商標代理有限責任公司
代理人：	李貴亮
專利類型：	發明專利
分類號：	H01L31/04;H01L21/363

以上信息僅供參考